半導體新器件發展現狀與趨勢
MILC平面雙柵器件
雙柵器件獨特的優點已被公認為納米量級器件的優選結構，平面雙柵器件由于白對準雙柵技術的問題一直處于探索之中，雖然已提出一些方法，如激光退火，選擇外延生長，側向外延生長等，但都非常復雜，成本也很高，而得到的器件的寄生電阻比預期高很多。在平面雙柵器件工藝集成技術方面一直是一個研究熱點。
難熔金屬柵CMOS器件
當多晶硅柵MOSFET柵長縮小到亞0.1μm和柵氧化層厚度減薄到3.0nm以下時，過高的柵電阻、日益嚴重的硼穿透現象和多晶硅柵耗盡效應成為進一步提高CMOS器件性能的瓶頸，而難熔金屬柵則會成為目前可以想象的最有希望的替代技術，用金屬作柵電極，可以從根本上消除B穿透現象和柵耗盡效應，同時獲得非常低的柵電極薄層電阻。
改進型垂直溝道雙柵器件
雙柵器件由于增加了一個柵的控制能力，可以改善器件特征尺寸縮小后帶來的很多問題，雙柵器件可以獲得高電流驅動能力，短溝效應可以控制得很好，器件關態電流較小，亞閾值斜率陡直，因此雙柵器件被認為是下幾個技術代采用的器件結構。
DSOI器件
由于SOl器件存在著浮體效應和自熱效應等嚴重的問題，大大限制SOl技術的推廣應用。新的器件結構DSOI是消除這些效應的出路之一。
SON器件
SON(Silicon-on-Nothing)技術是消除SOI器件自加熱等效應生物另一種方法，與SOl器件相比，SON MOS器件由于埋介質層介電常數的減小，大大減小了埋氧二維電場效應的影響，短溝效應、DIBL效應可以大大降低，可以獲得較為陡直的亞閾值斜率，而且可以通過控制硅膜厚度和背面介質層厚度，得到很好的短溝特性，同時可以改善SOl器件的自加熱效應，被認為是代替SOI技術的一個首選結構。
n溝SOI肖特基勢壘晶體管
肖特基勢壘隧道晶體管(Schottky Barrier Tun-aeling-effect Transistor，簡稱sBTr)是一種基于新的工作原理的MOSFET。和傳統的MOSFET相比只是利用金屬硅化物形成的肖特基結取代了原來的源漏pn結。