IGBT和可控硅的差別1
可控硅
可控硅簡稱SCR，是一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長等優點。在自動控制系統中，可作為大功率驅動器件，實現用小功率控件控制大功率設備。它在交直流無刷電機變速系統軟件、調功系統軟件及轉向頭燈系統軟件中獲得了普遍的運用。
可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅，簡稱TRIAC。雙向可控硅在結構上相當于兩個單向可控硅反向連接，這種可控硅具有雙向導通功能。其通斷狀態由控制極G決定。在控制極G上加正脈沖（或負脈沖）可使其正向（或反向）導通。這類設備的優勢是控制回路簡易，沒有反方向擊穿電壓難題，因而非常合適做溝通交流無觸點開關應用。
IGBT
IGBT絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合性了左右二種元器件的優勢，驅動器輸出功率小而飽和狀態壓減少。
IGBT非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。 圖1所示為一個N 溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結構， N+ 區稱為源區，附于其上的電極稱為源極。N+ 區稱為漏區。器件的控制區為柵區，附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區邊界形成。在漏、源中間的P 型區（包含P+ 和P 一區）（溝道在該地區產生），稱之為亞溝道區（ Subchannel region ）。
而在漏區另一側的P+ 區稱為漏注入區（ Drain injector ），它是IGBT 特有的功能區，與漏區和亞溝道區一起形成PNP 雙極晶體管，起發射極的作用，向漏極注入空穴，進行導電調制，以降低器件的通態電壓。附于漏注入區上的電極稱為漏極。IGBT 的開關作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP 晶體管提供基極電流，使IGBT 導通。反之，加反向門極電壓消除溝道，切斷基極電流，使IGBT 關斷。IGBT 的驅動方法和MOSFET 基本相同，只需控制輸入極N一溝道MOSFET ，所以具有高輸入阻抗特性。當MOSFET 的溝道產生后，從P+ 基極引入到N 一層層的空化（少子），對N 一層層開展電導解調，減少N 一層層的電阻器，使IGBT 在高工作電壓時，也具備低的通態工作電壓。
IGBT和可控硅區別
IGBT與晶閘管
1.整流元件（晶閘管）
簡易地說：鎮流器是把單相電或三相電正弦交流電商品流通過整流器元器件變為穩定的可調式的單方位的交流電流。其實現條件主要是依靠整流管，晶閘管等元件通過整流來實現。此外鎮流器件也有許多，如：可關閉可控硅GTO，逆導可控硅，雙向晶閘管，整流器控制模塊，輸出功率控制模塊IGBT，SIT，MOSFET這些，這兒只討論可控硅。
晶閘管又名可控硅，通常人們都叫可控硅。是這種輸出功率集成電路工藝，因為它高效率，操縱特點好，長壽命，重量輕等優勢，自20世紀七十長代至今，得到了飛速發展，并已產生了這門單獨的課程。“晶閘管交流技術”。 晶閘管發展到今天，在工藝上已經非常成熟，品質更好，成品率大幅提高，并向高壓大電流發展。目前國內晶閘管最大額定電流可達5000A，國外更大。我國的韶山電力機車上裝載的都是我國自行研制的大功率晶閘管。