可控硅-使用黃金規則

1.為了導通雙向可控硅，必須有門極電流≥IGT,直至負載電流達到≥IL。這個條件必須滿足，并按可能遇到的最低溫度考慮。

2.要斷開（切換）雙向可控硅，負載電流必須并維持足夠長的時間，使能回復至截止狀態。在可能的最高運行溫度下必須滿足上述條件。

3.設計雙向可控硅觸發電路時，只要有可能，就要避開3+象限（WT2-,+)

4.為了減少雜波吸收，門極連線長度降至最低。返回線直接連至MT1(或陰極）。若用硬線，用螺旋雙線或屏蔽線。門極和MT1間加電阻1KΩ或更小。高頻旁路電容和門極間串接電阻。另一解決方法，選低靈敏雙向可控硅。

5.若dVD/dVCOM/dt可能引起的問題 ，在MT1和MT2間加入RC緩沖電路。若高dICOM/dt可能引起問題，加入一幾mH的電感和負載串聯。

6.假如雙向可控硅的VDRM在嚴重的，導常的電源瞬間過程中有可能被超出，采用下列兩種措施：負載上串聯電感量為幾uH的不飽和電感，以限制dIT/dt或者用MOV跨接于電源，并在電源側增加濾波電路。（韓景元）

7.選用好的門極觸發電器，避開3+象限工況，可能最大限度的提高雙可控硅的dIT/dt承受能力。

8.若雙向可控硅的dIT/dt有可能被超出，負載上最好串聯一個幾uH的無鐵芯電感或負溫度系數的熱敏電阻。另一種解決辦法：對電阻性負載采購零電壓導通。

9.器件固定到散熱器時，避免讓雙向可控硅受到應力，固定，然后焊接引線。不要把鉚釘芯軸放在器件接口片一側。

10.為了長期可靠的工作，應保證Rthj-a足夠低，維持 Tj不高于Tjmax,其值相應于可能的最高環境溫度。