一般硅二級管與肖特基二極管的不同點1
問:一般硅二級管與肖特基二極管的不同點？
答：二種二級管全是單邊導電性，可用以整流器場所。
差別是一般硅二級管的耐壓試驗能夠 做得較高，可是它的修復速率低，只有用在高頻的整流器上，假如是高頻率的就會由于沒法迅速修復而產生反方向走電，最終造成水管比較嚴重發燙損壞；肖特基二極管的耐壓試驗能常較低，可是它的修復更快，能夠 用在高頻率場所，故電源變壓器選用此類二級管做為整流器輸出用，即便如此，電源變壓器上的整流管溫度還是很高的。
肖特基二極管要以其發明者肖特基博士生(Schottky)取名的，是肖特基勢壘二級管(Schottky Barrier Diode,縮寫成SBD)的通稱。和別的的二級管比起來，肖特基二極管有哪些非常的呢?SBD并不是運用P型半導體材料與N型半導體材料觸碰產生PN結基本原理制做的，只是運用金屬材料與半導體材料觸碰產生的金屬材料-半導體材料結基本原理制做的。因而，SBD也稱之為金屬材料-半導體材料(觸碰)二級管或表層勢壘二級管，這是這種熱載流子二級管。
典型性的肖特基整流管的內部電源電路構造要以N型半導體材料為基片，在上邊產生用砷作摻雜劑的N-外加層。陽極使用鉬或鋁等材料制成阻檔層。用sio2(SiO2)來清除邊沿地區的靜電場，提升水管的耐壓試驗值。N型基片具有很小的通態電阻，其摻雜濃度較H-層要高100%倍。在基片下邊形成N+陰極層，其作用是減小陰極的接觸電阻。通過調整結構參數，N型基片和陽極金屬之間便形成肖特基勢壘，如圖所示。如在肖特基勢壘兩邊再加順向偏壓(陽極氧化金屬材料插線正級，N型基片插線負級)時，肖特基勢壘層變小，其內電阻縮小;相反，若在肖特基勢壘兩邊再加反方向偏壓時，肖特基勢壘層則變寬，其內電阻增大。
肖特基整流管僅用這種載流子(電子器件)運輸正電荷，在勢壘兩側無產能過剩極少數載流子的積淀，因而，找不到正電荷存儲難題(Qrr→0)，使電源開關特點得到時顯改進。其反向恢復時間已能減少到10ns之內。但它的反向耐壓值較低，一般不超過去時100V。因此適宜在低壓、大電流情況下工作。運用其底壓降這特性，能提升底壓、大電流量整流器(或續流)電源電路的高效率。
利用金屬與半導體接觸形成肖特基勢壘構成的微波二極管稱為肖特基勢壘二極管。這類元器件對外開放關鍵展現離散系統電阻器特點是組成微波加熱混頻器、檢波器和微波加熱電源開關等的關鍵元器件。構造，肖特基勢壘二級管有二種管芯構造:點接觸型揉面融合型，點接觸型管芯用一金屬細壓接進N型半導體材料外加層表層上產生金半觸碰。面融合型管芯需先在N型半導體材料外加層表層上轉化成sio2(SiO2)保護層厚度,再用光刻的方法浸蝕出1個小圓孔,普遍存在N型半導體材料外加層表層,淀積一層層陶瓷膜(通常選用金屬材料鉬或鈦,稱之為勢壘金屬材料)產生金半觸碰,再蒸鍍或電鍍工藝一層層金屬材料(金、銀等)組成電級。二種管芯構造的半導體材料一邊都選用重夾雜N+層作襯底,并在其上產生歐姆接觸的電級。面結合型管性能要優于點接觸管,